VisIC Technologies – 9 kW GaN-Halbbrücke ohne Parallelschaltung

1. August 2018
VisIC Technologies – 9 kW GaN-Halbbrücke ohne Parallelschaltung

Nes Ziona, Israel (ots/PRNewswire) –

VisIC Technologies, ein Innovator von effizienter Leistungselektronik basierend auf Galliumnitrid-Halbleitern (GaN), hat ein neues wassergekühltes Halbbrücken-Evaluation-Board angekündigt, um die Hochleistung, die durch seine GaN All-Switches(TM) erreicht wird, zu demonstrieren (Advanced Low Loss Switches; verlustarme Schalter).

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Die Evaluationsplattform kann in jeder Halbbrückentopologie betrieben werden und wurde in Buck-and-Boost-Topologien (Auf-Abwärts) von bis zu 9 kW unter Benutzung nur mit V22N65A-Einzeltransistoren getestet. Dies ist die erste GaN-basierte Lösung auf dem Markt, die eine Leistung bis zu 9 kW liefern kann, ohne auf Parallelschaltung wechseln zu müssen, was sie ideal für High-Density On-Board-Chargers (OBC) in Hybrid- und elektrischen Fahrzeugen macht.

Die V22N65A All-Switch(TM) SMD diskreten wassergekühlten Geräte zeichnen sich durch sehr niedrige Durchlass- und Schaltverluste aus, zusammen mit einem modernen isolierten Verpackungsdesign, was Höchstleistung und Energie aus jedem GaN-Gerät ermöglicht.

Eine niedrige parasitäre Induktivität und das Gate-Loop-Design, in Verbindung mit hoher Schwellenspannung (5 V), ermöglichen es Entwicklern, VisIC GaN-Schalter bei Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf sicher im Multi-kW-Bereich zu verwenden.

Die V22N65A-HBEVB Evaluationsplattform umfasst Folgendes:

– Halbbrücken-Leistungsstufe mit 22 mOhm GaN All-Switches; – Isolierter Halbbrückentreiber von Silicon Labs (Si82394); – Zwei isolierte Notstromversorgungen von Murata (NXE251212MC); – Leerlaufzeitkontrolle von 75 ns bis 200 ns; – Hochstromstecker (85 A) von Wurth Electronics (74655095R)

Das All-In-One wassergekühlte V22N65A-HBEVB ist zum Preis von 600 USD erhältlich. Eine luftgekühlte Version ist zum Preis von 500 USD erhältlich.

Für weitere Informationen schreiben Sie bitte an VisIC unter info@visic-tech.com.

Über VisIC Technologies:

Ansässig in Nes Ziona, Israel, wurde VisIC Technologies, Ltd. 2010 von Experten auf dem Bereich der Galliumnitrid-Technologie (GaN) gegründet, um GaN-basierte Stromversorgungsprodukte zu entwickeln und zu verkaufen. VisIC hat erfolgreich GaN-basierte Hochleistungstransistoren und Module entwickelt, die jetzt auf den Markt gebracht werden. (Es wird erwartet, dass GaN die meisten Silikon-basierten Produkte (Si) ersetzen wird, die zurzeit in Stromversorgungssystemen verwendet werden.) VisIC hat für die GaN-Technologie wichtige Patente erhalten und weitere Patente sind angemeldet. Weitere Informationen erhalten Sie unter: http://www.visic-tech.com

7 Golda Meir

Nes Ziona

7403650

Israel

info@visic-tech.com

Quellenangaben

Textquelle:VisIC Technologies, übermittelt durch news aktuell
Quelle:https://www.presseportal.de/pm/129506/4023287
Newsroom:VisIC Technologies
Pressekontakt:+972-8-9171-193
Fax: +972-8-6909-467

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